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记者10月15日从中电科电子装备集团（简称电科装备）获悉，该集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅（SiC）器件晶圆全自动减薄机，近期到手寄托国内头部晶圆企业已毕量产运用。至此，该公司已酿成行业提高的遮掩碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全进程国产减薄成套处置有野心。

图片起首：电科装备

现时，化合物半导体产业迈入边界化彭胀的要害窗口期。新动力汽车800V高压平台加快普及、光伏储能模范迭代升级、AI算力电源需求皆集开释，三重发展红利换取，商场对中意车规、算力运用场景的高性能碳化硅功率器件需求进军。

在碳化硅功率器件制造中，晶圆后头减薄工艺是决定器件热阻、导通损耗与批量良率的重要工序之一。由于碳化硅材料硬度高、难磨削，晶圆后头加工易产生崩边、微裂纹致使破片，对减薄成就刚性、主轴抑振、载台控形及工艺闭环抑止提议严苛条款。

北京中电科公司锚定行业痛点，攻关研发碳化硅器件晶圆全自动减薄机。据先容，成就选择三轴四工位整机结构，集成自动化传输、清洗单元，已毕干进干出的全自动加工进程，有用压缩工序流转时期。通过匹配高刚性、低振动、高功率的气浮主轴、磨轮与工艺参数，已毕加工收尾与耗材资本的均衡。经量产实测，8英寸碳化硅晶圆最低可厚实磨削至120微米，单元小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差厚实抑止在3微米以内，全面中意边界化量产对产能与一致性条款。

同期，成就搭载自研高刚度精密气浮主轴，达成亚微米级反转畅通精度，能已毕平常的工艺窗口，中意多元减薄耗材需求；同步配套高精度载荷检测，可及时监控工艺、预警破片风险。成就软硬件还接济搭配砂轮自动修正与标定功能。

据悉，该装备已毕了国产成就在8英寸碳化硅晶圆后头减薄工艺时间的要紧冲突，补皆了我国化合物半导体制造装备短板，为国内碳化硅功率器件边界化分娩提供了坚实保险。

剪辑：宋慈

审核：岳靓体育游戏app平台